Development of film materials based on refractory compounds for products operating in extreme conditions
Keywords:
resistive films, metal silicides, solid solutionsAbstract
The reasons for the low stability of the properties of thin-film resistors obtained by the method of evaporation of heterogeneous materials are considered. One of the criteria for the stability of thin resistive films can be considered the homogeneity of the source material. The regularities of changes in the electrophysical properties of films depending on the effective carrier concentration for solid solutions of the type Cr1-x TaxSi2 are revealed. Thermodynamic analysis and the results of calculations of the interatomic interaction by the method of pair potentials allow us to predict the features of technological methods for producing thin films based on the CrSi2 –TaSi2 system.
References
Гельчинский, Б. Р. Методика расчетов потенциалов межионного взаимодействия в шестикомпонентных сплавах / Б.Р. Гельчинский, А.МСасов // Конструирование и технология изготовления космических приборов. – М. : Наука, 1988. – С.105–109.
ГОСТ 22025-76 Сплавы кремниевые резистивные. Технические условия (с изменениями No1, 2). – М. : Изд-во стандартов, 1983. – С. 42.
Еремеев, Ю. В. Мощные СВЧ-резисторы:оценка предельных частотно-мощностных характеристик / Ю.В. Еремеев, И.Н. Малышев, С.В. Симаков // Электроника: наука, технология, бизнес. –2010. – No 5. – С. 90–94.
Лыков, А. В. Теория теплопроводности /А.В. Лыков. – М. : Высш. шк., 1967. – 600 с.
Осадченко, Б. А. Кинетика образования,структура и электрические свойства резистивныхпленок PC-I004 / Б.А. Осадченко, В.И. Трофимов,Л.А. Селиверстов // Микроэлектроника. – 1980. – Т.9, вып. I. – С. 61–65.
Сасов, А. М. Методика выбора компонентов для создания резистивных материалов / А.М.Сасов, Б.Р. Гельчинский, Л.А. Дворина // Конструирование научных космических приборов. – М. :Наука, 1985. – С. 122–127.
Animalu, A. Electronic structure of transition metals. I Guantum defects end model potential / A.Animalu // Phys. Pev. – 1973. – No 8. – P. 3542–3562.
Bfurarka, S. Silicide formation in thin cosputtered (tantalum + silicon) films on polycrystallinesilicon and Si02o / S. Bfurarka, D. Рrавеr // J. Appl.Phys. – 1980. – 51 (3). – P. 1593–1598.
Palmstrem, C. Phase separation in interactions of tantalum – chromium alloy on Si / C. Palmstrem, J. Gyulai, J. Mayer // J. Vac. Technol. – 1983. –AI, No 2. – P. 452–454.
Shaw, R. Exchange and correlation in thetheory of simple metals / R. Shaw // J. Phys. C.: SolidState Phys. – 1970. – V. 3, No 5. – P. 1140–1158.
