Samarium monosulfide thin films formation by combined method
Keywords:
samarium monosulfide, thin films, vacuum evaporationAbstract
This article presents results of experimental samarium monosulfide films formation by the combined method (vacuum thermal and thermal explosive evaporation). Much attention given to relation of the formation properties on their resistance. The thickness of the limiting layer was measured, its amount in the range of 30–60 nm. Article shows that the combined method of film formation increases the coefficient of strain sensitivity by 20–30%.
References
Аномальная термоэдс в моносульфидесамария / М.М. Казанин, В.В. Каминский, С.М.Соловьев // ЖТФ. – 2000. – Т. 70, вып. 5. – С. 136–138.
Диффузия никеля в сульфиде самария /В.А. Дидик [и др.] // Письма в Журнал техническойфизики. – 2006. – Т. 32. – С. 1–5.
Исследование диффузии никеля в суль-фиде самария / В.А. Дидик [и др.] // Конденсиро-ванные среды и межфазные границы. – 2006. – Т. 8.– С. 273–274.
Полупроводниковые тензорезисторы на основе моносульфида самария для космическихаппаратов. Преобразование деформации / Н.М. Володин [и др.] // Вестник ФГУП НПО им. С.А. Лавочкина. – 2012. – Т. 3. – С. 33–37.
Молодых А.А. Полупроводниковый сульфид самария и тензорезисторы на его основе :дисс. ... к.т.н. / А.А. Молодых. – СПб. : ФГБУНФизико-технический институт им. А.Ф. ИоффеРоссийской академии наук, 2017.
Каминский, В. В. Пьезосопротивление полупроводникового сульфида самария / В.В. Ка-минский, А.В. Голубков // Физика твердого тела. –1979. – Т. 21, вып. 9. – С. 2805–2807.
Пат. 2459012 Российская Федерация.Способ изготовления тонких пленок на основе моносульфида самария / Зенкевич А.В. ЛебединскийЮ.Ю., Парфенов О.Е., Сторчак В.Г., Тетерин П.Е.Дата заявки 01.10.2010.
Володин, Н. М. Тензометрия на основе редкоземельных полупроводников в космическихаппаратах / Н.М. Володин, Ю.Н. Мишин, В.В. Ка-минский // Вестник НПО им. С.А. Лавочкина. –2011. – Т. 5. – С. 51–55.
Тензорезистивный эффект в тонких пленках монохалькогенидов самария / С.И. Гребинский [и др.] // Деп. ЦНИИ «Электроника». –1983. – Т. 9201. – С. 25.
Тензорезисторы на основе лазерных конденсатов моносульфида самария / A.M. Богодельный [и др.] // Школа по актуальным вопросам физики и химии соединений на основе РЗЭ : тез.докл., АН СССР, Красноярск. – 1989. – С. 16–17.
Patent US No 6132568.A Manufacturingmethod of samarium sulfide thin films / Jin Ping,Tanemura Sakae.
Okamoto H. S-Sm (Sulfur-Samarium) //Journal of Phase Equilibria and Diffusion. – 2010. – V.31. – P. 577.
Technical Ceramics from Samarium Monosulfide for the Thermal Explosion and MagnetronMethods of Production of SmS Films / V.G. Bamburov[et al] // Doklady Physical Chemistry. – 2017. – V.473. – P. 66–70.
