Разработка пленочных материалов на основе тугоплавких соединений для изделий, функционирующих в экстремальных условиях
Ключевые слова:
резистивные пленки, силициды металлов, твердые растворыАннотация
Рассмотрены причины низкой стабильности свойств тонкопленочных резисторов, полученных методом испарения гетерогенных материалов. Одним из критериев стабильности тонких резистивных пленок можно считать гомогенность исходного материала. Выявлены закономерности изменения электрофизических свойств пленок в зависимости от эффективной концентрации носителей для твердых растворов типа Cr1-xTaxSi2. Термодинамический анализ и результаты расчетов межатомного взаимодействия методом парных потенциалов позволяют прогнозировать особенности технологических способов получения тонких пленок на основе системы CrSi2 - TaSi2.
Библиографические ссылки
Гельчинский, Б. Р. Методика расчетов потенциалов межионного взаимодействия в шестикомпонентных сплавах / Б.Р. Гельчинский, А.МСасов // Конструирование и технология изготовления космических приборов. – М. : Наука, 1988. – С.105–109.
ГОСТ 22025-76 Сплавы кремниевые резистивные. Технические условия (с изменениями No1, 2). – М. : Изд-во стандартов, 1983. – С. 42.
Еремеев, Ю. В. Мощные СВЧ-резисторы:оценка предельных частотно-мощностных характеристик / Ю.В. Еремеев, И.Н. Малышев, С.В. Симаков // Электроника: наука, технология, бизнес. –2010. – No 5. – С. 90–94.
Лыков, А. В. Теория теплопроводности /А.В. Лыков. – М. : Высш. шк., 1967. – 600 с.
Осадченко, Б. А. Кинетика образования,структура и электрические свойства резистивныхпленок PC-I004 / Б.А. Осадченко, В.И. Трофимов,Л.А. Селиверстов // Микроэлектроника. – 1980. – Т.9, вып. I. – С. 61–65.
Сасов, А. М. Методика выбора компонентов для создания резистивных материалов / А.М.Сасов, Б.Р. Гельчинский, Л.А. Дворина // Конструирование научных космических приборов. – М. :Наука, 1985. – С. 122–127.
Animalu, A. Electronic structure of transition metals. I Guantum defects end model potential / A.Animalu // Phys. Pev. – 1973. – No 8. – P. 3542–3562.
Bfurarka, S. Silicide formation in thin cosputtered (tantalum + silicon) films on polycrystallinesilicon and Si02o / S. Bfurarka, D. Рrавеr // J. Appl.Phys. – 1980. – 51 (3). – P. 1593–1598.
Palmstrem, C. Phase separation in interactions of tantalum – chromium alloy on Si / C. Palmstrem, J. Gyulai, J. Mayer // J. Vac. Technol. – 1983. –AI, No 2. – P. 452–454.
Shaw, R. Exchange and correlation in thetheory of simple metals / R. Shaw // J. Phys. C.: SolidState Phys. – 1970. – V. 3, No 5. – P. 1140–1158.
