Получение пленок моносульфида самария комбинированным методом
Ключевые слова:
моносульфид самария, тонкие пленки, вакуумное напылениеАннотация
Рассматриваются результаты эксперимента по получению тонких пленок моносульфида самария методами вакуумного термического и термовзрывного испарения, объединенными в одном технологическом процессе (комбинированный метод напыления). В работе была проанализирована зависимость сопротивления пленок моносульфида самария от условий их формирования. На основании полученных данных оценено, что толщина лимитирующего слоя 30-60 нм. Также определено, что использование комбинированного метода напыления пленок моносульфида самария приводит к увеличению коэффициента тензочувствительности на 20-30%.
Библиографические ссылки
Аномальная термоэдс в моносульфидесамария / М.М. Казанин, В.В. Каминский, С.М.Соловьев // ЖТФ. – 2000. – Т. 70, вып. 5. – С. 136–138.
Диффузия никеля в сульфиде самария /В.А. Дидик [и др.] // Письма в Журнал техническойфизики. – 2006. – Т. 32. – С. 1–5.
Исследование диффузии никеля в суль-фиде самария / В.А. Дидик [и др.] // Конденсиро-ванные среды и межфазные границы. – 2006. – Т. 8.– С. 273–274.
Полупроводниковые тензорезисторы на основе моносульфида самария для космическихаппаратов. Преобразование деформации / Н.М. Володин [и др.] // Вестник ФГУП НПО им. С.А. Лавочкина. – 2012. – Т. 3. – С. 33–37.
Молодых А.А. Полупроводниковый сульфид самария и тензорезисторы на его основе :дисс. ... к.т.н. / А.А. Молодых. – СПб. : ФГБУНФизико-технический институт им. А.Ф. ИоффеРоссийской академии наук, 2017.
Каминский, В. В. Пьезосопротивление полупроводникового сульфида самария / В.В. Ка-минский, А.В. Голубков // Физика твердого тела. –1979. – Т. 21, вып. 9. – С. 2805–2807.
Пат. 2459012 Российская Федерация.Способ изготовления тонких пленок на основе моносульфида самария / Зенкевич А.В. ЛебединскийЮ.Ю., Парфенов О.Е., Сторчак В.Г., Тетерин П.Е.Дата заявки 01.10.2010.
Володин, Н. М. Тензометрия на основе редкоземельных полупроводников в космическихаппаратах / Н.М. Володин, Ю.Н. Мишин, В.В. Ка-минский // Вестник НПО им. С.А. Лавочкина. –2011. – Т. 5. – С. 51–55.
Тензорезистивный эффект в тонких пленках монохалькогенидов самария / С.И. Гребинский [и др.] // Деп. ЦНИИ «Электроника». –1983. – Т. 9201. – С. 25.
Тензорезисторы на основе лазерных конденсатов моносульфида самария / A.M. Богодельный [и др.] // Школа по актуальным вопросам физики и химии соединений на основе РЗЭ : тез.докл., АН СССР, Красноярск. – 1989. – С. 16–17.
Patent US No 6132568.A Manufacturingmethod of samarium sulfide thin films / Jin Ping,Tanemura Sakae.
Okamoto H. S-Sm (Sulfur-Samarium) //Journal of Phase Equilibria and Diffusion. – 2010. – V.31. – P. 577.
Technical Ceramics from Samarium Monosulfide for the Thermal Explosion and MagnetronMethods of Production of SmS Films / V.G. Bamburov[et al] // Doklady Physical Chemistry. – 2017. – V.473. – P. 66–70.
