Фотоэлектрические преобразователи на основе кристаллического кремния
Ключевые слова:
фотоэлектрические преобразователи на основе кристаллического кремния, коэффициент полезного действия, выходные параметры, световые диодные характеристикиАннотация
Рассматривается проблема повышения конкурентоспособности вырабатываемой фотоэлектрическими электростанциями электрической энергии по сравнению с традиционными источниками. С использованием технологий люминесцентных и плазмонных покрытий, обработки приборных структур в магнитном поле обеспечивается увеличение КПД до 20 % для фотоэлектрических преобразователей на основе монокристаллического кремния.
Библиографические ссылки
Bye, G. Solar grade silicon: Technology status and industrial trends / G. Bye, B. Ceccaroli // Solar Energy Materials & Solar Cells. — 2014. — V. 130. — P. 634—646.
Singh, P. Temperature dependence of solar cell performance — an analysis / P. Singh, N.M. Ravindra // Solar Energy Materials & Solar Cells. — 2012. — V. 101. — P. 36—45.
Singh, P. Temperature dependence of I-V characteristics and performance parameters of silicon solar cell / P. Singh, S. N. Singh, M. Lal // Solar Energy Materials & Solar Cells. — 2008. — V. 92. — P. 1611—1616.
Radziemska, E. Effect of temperature on dark current characteristics of silicon solar cells and diodes // International Journal Energy Res. — 2006. — V. 30, № 2. — P. 127—134.
Cai, W. The influence of environment temperatures on single crystalline and polycrystalline silicon solar cell performance / W. Cai [et al.] // Physics, Mechanics & Astronomy. — 2012. — V. 55, № 2. — P. 235—241.
